Samsung Bikin Memori Flash yang Hemat Daya 96%, Smartphone Masa Depan Makin Tahan Lama

Gadget – Dalam dunia teknologi yang terus berlari kencang, efisiensi energi kini menjadi kunci utama bukan hanya kecepatan atau kapasitas. Dan Samsung, raksasa teknologi asal Korea Selatan, baru saja mencatatkan salah satu pencapaian paling signifikan dalam sejarah penyimpanan data: pengembangan NAND flash berbasis transistor ferroelektrik yang mampu mengurangi konsumsi daya hingga 96% dibanding teknologi konvensional.

Temuan ini bukan sekadar laboratorium ia dipublikasikan dalam jurnal ilmiah paling bergengsi di dunia, Nature, melalui makalah berjudul “Ferroelectric Transistor for Low-Power NAND Flash Memory”, yang ditulis oleh 34 peneliti dari berbagai institusi, termasuk tim riset Samsung. Temuan ini berpotensi merevolusi cara smartphone, data center AI, dan perangkat mobile mengelola daya dengan dampak langsung pada umur baterai, emisi karbon, dan skalabilitas infrastruktur digital global.

Artikel ini mengupas bagaimana teknologi ini bekerja, mengapa ia revolusioner, tantangan komersialisasi, dan implikasinya bagi konsumen biasa terutama pengguna smartphone yang sering mengeluh baterai cepat habis.

Latar Belakang: Krisis Daya di Era Ledakan Data AI

Permintaan akan memori cepat dan berkapasitas besar kini melonjak drastis terutama akibat ledakan penggunaan AI. Data center yang menjalankan model AI besar seperti LLM (Large Language Models) membutuhkan ribuan chip NAND flash untuk penyimpanan sementara dan permanen.

Namun, semakin tinggi kapasitas dan semakin banyak lapisan (layer) dalam NAND flash 3D, konsumsi dayanya pun meningkat tajam. Dalam arsitektur NAND flash modern, data disimpan dalam “string sel” yang tersusun seri. Semakin panjang string-nya (karena penambahan layer), semakin besar arus bocor (leakage current) bahkan saat sel dalam keadaan “mati”.

Arus bocor ini tidak hanya memboroskan energi, tetapi juga menghasilkan panas, mempercepat degradasi chip, dan menambah biaya operasional data center yang sudah mahal.

Samsung menyadari: tanpa terobosan efisiensi daya, pertumbuhan AI dan perangkat mobile akan terhambat oleh batas fisik energi itu sendiri.

Solusi Samsung: Transistor Ferroelektrik yang Mengubah Segalanya

Tim riset Samsung awalnya mengeksplorasi semikonduktor oksida, tetapi menemukan bahwa material ini memiliki tegangan ambang (threshold voltage) yang terlalu tinggi untuk chip performa tinggi. Namun, alih-alih menyerah, mereka melihat peluang tersembunyi: tegangan ambang tinggi justru bisa memblokir arus bocor secara alami.