Samsung Bikin Memori Flash yang Hemat Daya 96%, Smartphone Masa Depan Makin Tahan Lama
- wccftech
Dari situ, mereka mengembangkan transistor ferroelektrik jenis transistor yang memanfaatkan material ferroelektrik untuk mengontrol aliran listrik dengan efisiensi ekstrem.
Bagaimana Cara Kerjanya?
- Dalam NAND flash tradisional, arus tetap mengalir sedikit meski transistor “mati”, menyebabkan kebocoran daya.
- Transistor ferroelektrik Samsung secara alami memblokir arus di bawah ambang tegangan tertentu.
Hasilnya: arus bocor hampir nol, terutama dalam konfigurasi string sel yang panjang.
Pengujian menunjukkan pengurangan konsumsi daya hingga 96% pada operasi baca/tulis.
Ini bukan peningkatan kecil ini lompatan kuantum dalam efisiensi energi penyimpanan data.
Dampak Langsung: Smartphone Lebih Tahan Lama, Data Center Lebih Hijau
1. Untuk Pengguna Smartphone
NAND flash adalah komponen utama dalam penyimpanan internal ponsel (seperti UFS atau eMMC). Semakin sering Anda membuka aplikasi, menyimpan foto, atau menjalankan AI on-device (seperti asisten suara atau kamera pintar), semakin sering chip NAND diakses.
Dengan teknologi baru ini:
- Baterai bisa bertahan lebih lama karena penyimpanan tidak lagi “menghisap” daya diam-diam.
- Ponsel lebih dingin, karena panas dari kebocoran arus berkurang drastis.
- Produsen bisa mengurangi ukuran baterai tanpa mengorbankan daya tahan membuka ruang untuk kamera lebih besar atau desain lebih tipis.
2. Untuk Data Center AI
Pusat data AI mengonsumsi listrik dalam skala masif beberapa bahkan setara dengan kota kecil. Sekitar 15–20% dari total konsumsi daya digunakan hanya untuk operasi penyimpanan.
Jika NAND flash Samsung ini diadopsi:
- Penghematan listrik miliaran dolar per tahun secara global.
- Jejak karbon berkurang signifikan, mendukung komitmen netralitas karbon perusahaan teknologi.
- Skalabilitas AI meningkat, karena batasan termal dan daya tidak lagi menjadi penghambat utama.
Kapan Teknologi Ini Tersedia? Masih Ada Tantangan Produksi
Meski hasil penelitiannya spektakuler, Samsung belum mengumumkan jadwal komersialisasi. Teknologi transistor ferroelektrik masih menghadapi tantangan dalam:
- Skalabilitas produksi massal
- Integrasi dengan proses manufaktur chip NAND yang sudah ada
- Stabilitas jangka panjang material ferroelektrik
Sebagai gambaran, generasi NAND flash terbaru yang akan segera hadir di smartphone adalah UFS 5.0, yang menawarkan kecepatan hingga 4.2 GB/s tapi masih menggunakan teknologi lama yang boros daya.
