Masa Depan Penyimpanan Data? Chip FeFET Samsung Bisa Gantikan NAND dalam 5 Tahun

Tantangan Menuju Komersialisasi

Meski menjanjikan, FeFET masih berada dalam tahap riset lanjutan. Samsung belum mengumumkan timeline produksi massal. Beberapa tantangan yang harus diatasi:

• Daya tahan siklus tulis/erase: Perlu mencapai 100.000+ siklus untuk bersaing dengan NAND
• Uniformitas produksi: Memastikan setiap sel FeFET memiliki karakteristik yang konsisten
• Integrasi ekosistem: Perlu dukungan dari sistem operasi, driver, dan arsitektur chip

Namun, dengan sumber daya R&D Samsung yang masif dan pengalaman puluhan tahun di memori semikonduktor, komersialisasi dalam 3–5 tahun ke depan bukanlah hal mustahil.

Reaksi Industri dan Pesaing

Belum ada respons resmi dari rival seperti SK Hynix atau Micron, tetapi perkembangan ini kemungkinan besar memicu perlombaan R&D global menuju memori post-NAND.

Teknologi serupa juga sedang dikembangkan di:

• Intel & Micron (dengan 3D XPoint, walau sudah dihentikan)
• TSMC & imec (dengan FeRAM dan FeFET hybrid)
• Start-up seperti Ferroelectric Memory Company (FMC) di Jerman

Namun, Samsung tampaknya unggul dalam integrasi material hafnia-zirkonium yang kompatibel dengan fabrikasi skala besar keunggulan strategis yang sulit ditandingi.

Kesimpulan: Langkah Awal Menuju Revolusi Penyimpanan Data

FeFET bukan sekadar "chip baru" ia adalah jawaban atas krisis efisiensi energi di era eksponensial data. Dengan kemampuan menyimpan lebih banyak data, mengonsumsi hampir tidak ada daya, dan tetap stabil di skala nano, teknologi ini memiliki potensi menggantikan NAND flash sebagai standar industri dalam satu dekade ke depan.

Bagi Samsung, ini juga merupakan langkah strategis untuk mempertahankan dominasi di pasar memori global, sekaligus memposisikan diri sebagai pemasok utama infrastruktur AI masa depan.

Satu hal yang pasti: dunia sedang berada di ambang revolusi memori dan Samsung mungkin baru saja membunyikan peluit awalnya.